FDB5690
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Diskrete Halbleiter-Produkte
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Sensoren, Wandler
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Anschlüsse, Verbindungen
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- Anschlussblöcke-Kontakte(306247)
- Anschlussblöcke-Barrier Blocks(44736)
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- Solid State Lighting Steckverbinder(2295)
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- Rechteckige Steckverbinder-Gehäuse(28877)
- Rechteckige Verbinder-Kopfzeilen, Spezial-PIN(5397)
- Rechteckige Anschlüsse - Header, Gefäße, weibliche Sockel(23450)
- Rechteckige Verbinder-Kopfzeilen, männliche Pins(138439)
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- Rechteckige Verbinder-Kontakte(5477)
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- Austauschbare Steckverbinder(5229)
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onsemi FDB5690
| Artikelnummer: | FDB5690 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 32A TO263AB |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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| Aktie: |
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onsemi FDB5690 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FDB5690.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) Serie PowerTrench® Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 16A, 10V Verlustleistung (max) 58W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1120 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 32A (Tc) Grundproduktnummer FDB569 FDB5690 Einzelheiten PDF [English] FDB5690 PDF - EN.pdf -
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